барьер для - перевод на Английский
Diclib.com
Словарь ChatGPT
Введите слово или словосочетание на любом языке 👆
Язык:

Перевод и анализ слов искусственным интеллектом ChatGPT

На этой странице Вы можете получить подробный анализ слова или словосочетания, произведенный с помощью лучшей на сегодняшний день технологии искусственного интеллекта:

  • как употребляется слово
  • частота употребления
  • используется оно чаще в устной или письменной речи
  • варианты перевода слова
  • примеры употребления (несколько фраз с переводом)
  • этимология

барьер для - перевод на Английский

Параллакс барьер; Параллаксный барьер
  • Принцип действия щелевого растра

барьер для      

• There is an energy barrier to rotation.

fission barrier         
  • asin= B0066F5SQE}}</ref>
ACTIVATION ENERGY REQUIRED FOR A NUCLEUS OF AN ATOM TO UNDERGO FISSION
Draft:Fission Barrier; Fission Barrier

общая лексика

барьер для ядерного деления

трансверсаль         
f.
transversal

Определение

Шотки барьер

Потенциальный барьер, образующийся в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом; назван по имени немецкого учёного В. Шотки (W. Schottky). исследовавшего такой барьер в 1939. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода (См. Работа выхода) металла и полупроводника были различными, на что впервые указал сов. учёный Б. И. Давыдов в 1939. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода Ф, металл заряжается отрицательно, а полупроводник - положительно, т.к. электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно (при сближении полупроводника р-типа с металлом, обладающим меньшей Ф, металл заряжается положительно, а полупроводник - отрицательно). При установлении равновесия между металлом и полупроводником возникает Контактная разность потенциалов: Uk =м - Фп)/е (е - заряд электрона). Из-за большой электропроводности металла электрическое поле в него не проникает, и разность потенциалов Uk создаётся в приповерхностном слое полупроводника. Направление электрического поля в этом слое таково, что энергия основных носителей заряда в нём больше, чем в толще полупроводника. Это означает, что в полупроводнике n-типа энергетической зоны в приконтактной области изгибаются вверх, а в полупроводнике р-типа - вниз (см. рис.). В результате в полупроводнике вблизи контакта с металлом при Фм > Фп для полупроводника n-типа, или при Фм < Фп для полупроводника р-типа возникает потенциальный барьер. Высота Ш. б. Ф0 = Фм - Фп. В реальных структурах металл - полупроводник это соотношение не выполняется, т.к. на поверхности полупроводника или в тонкой диэлектрической прослойке, часто образующейся между металлом и полупроводником, обычно имеются локальные электронные состояния; находящиеся в них электроны экранируют влияние металла так, что внутренне поле в полупроводнике определяется этими поверхностными состояниями и высота Ш. б. не зависит от Фм. Как правило, наибольшей высотой обладают Ш. б., получаемые нанесением на полупроводник n-типа плёнки Au. На высоту Ш. б. оказывает также влияние сила "электрического изображения" (см. Шотки эффект).

Ш. б. обладает выпрямляющими свойствами. Ток через Ш. б. при наложении внешнего электрического поля создаётся почти целиком основными носителями заряда. Величина тока определяется скоростью прихода носителей из объёма к поверхности или в случае полупроводников с высокой подвижностью носителей - током термоэлектронной эмиссии (См. Термоэлектронная эмиссия) в металл. Контакты металл - полупроводник с Ш. б. широко используются в сверхвысокочастотных детекторах и смесителях (см. Шотки диод), Транзисторах, Фотодиодах и в др.

Лит.: Стриха В. И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А., Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки, М., 1974; Стриха В. И., Теоретические основы работы контакта металл - полупроводник, К., 1974; Милнс А., Фойхт Д., Гетеропереходы и переходы металл - полупроводник, пер. с англ., М., 1975.

Т. М. Лифшиц.

Энергетическая схема контакта металл - полупроводник; а - полупроводник и металл до сближения; б, в - идеальный контакт металла с полупроводником n- и p-типов; г - реальный контакт; М - металл, П - полупроводник, Д - диэлектрическая прослойка, С - поверхностные электронные состояния; Eвак, Eν, Eс- уровни энергии электрона у "потолка" валентной зоны, у "дна" зоны проводимости и в вакууме; EF - энергия Ферми.

Википедия

Щелевой растр

Щелевой растр — светопоглощающий растр, сквозь который с разных точек видимы разные части растрированного изображения. Используется в разных видах автостереоскопии для сепарации одной или нескольких стереопар. Щелевой растр состоит из набора параллельных светонепроницаемых полос, размещённых на небольшом расстоянии от изображения, представляющего собой чередующиеся полосы разных частей стереопары. В итоге каждый из глаз наблюдателя может видеть только полосы своей части стереопары, в то время как полосы части, предназначенной для другого глаза, закрыты растром. По сравнению с лентикулярным растром, щелевой обладает более низкой световой эффективностью, поскольку часть светового потока задерживается. В то же время, такой растр технологичнее и более пригоден для экранов большого размера.

Примеры употребления для барьер для
1. Заградительный барьер для партий составляет 7% голосов.
2. - Стабильность ведь тоже создает психологический барьер для движения вперед.
3. Квалификационный барьер для участия в олимпийском турнире не выглядит непреодолимым.
4. В перспективе нужно будет поднимать этот барьер для работающих женщин.
5. Другой вопрос, что барьер для входа любых сторонних инвесторов огромен.
Как переводится барьер для на Английский язык